2018年中国电网设备制造行业发展现状及发展趋势分析（附图）

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由于空穴与带负电荷的h-BN之间的静电吸引，国电CN光激发的空穴迅速转移到其表面，然后参与光催化反应。【图文介绍】通过对h-BN/CN复合材料进行XRD分析、网设XPS分析、网设TEM表征、BET比表面积分析和电化学分析等，研究了h-BN/CN复合材料的形貌、微观结构、晶体特征、孔隙结构和电化学特征等。

因此，备制h-BN/CN复合材料的光催化活性的提高是由于电子-空穴对较高的分离效率和较大的比表面积所致。同时，造行展现状及光激发的电子将被水中溶解氧捕获，产生超氧自由基并参与氧化水溶液中的TC分子。发展分析附图图8CN和BC-3光催化剂在可见光下降解TC和RhB的活性自由基捕获实验（a,b）TC。

在该论文中，趋势作者首先采用原位生长技术制备了无金属型2D/2D六方氮化硼（h-BN）修饰石墨相氮化碳异质结光催化剂。如图10b所示，年中来自激发态RhB分子和CN的电子都可以将吸附的水中溶解氧还原为直接参与氧化反应的超氧自由基。

更重要的是，国电光生空穴与h-BN之间的静电吸引有利于光能激发电子-空穴对的有效分离并延长电子寿命。

对于h-BN/CN光催化剂，网设随着h-BN用量的增加，光催化活性先增强后降低。因此，备制这个危险程度降级划分是有科学依据的

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